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CMOS圖像傳感器的性能指標
 
更新時間:2015.01.03 瀏覽次數:
 

  CMOS圖像傳感器的性能參數與CCD的性能參數基本上是一致的;而且近年來,CMOS成像器件取得重大進展,其性能指標已與CCD接近。

  1、譜性能與量子效率:CMOS成像器件的光亦性能和量子效率取決于它的像敏單元。

  2、填充因子:填充因子是指光敏面積對全部像敏面積之比,它對器件的有效靈敏度、噪聲、時間響應、模傳遞函數MTF等的影響很大。

  3、輸出特性與動態范圍:CMOS成像器件一般有4種輸出模式:線性模式、雙斜率模式、對數特性模式、校正模式。它們的動態范圍相差很大,特性也有較大的區別。

  4、噪聲:CMOS圖像傳感器的噪聲來源于其中的像敏單元光敏二極管,用于放大器的場效應晶體管和行、列選擇等開關的場效應晶體管。這些噪聲既有相似之處也有很大差別。此外,由光敏二極管陳列和場效應晶體管電路構成CMOS圖像傳感器時,還可能產生新的噪聲,如光敏器件的噪聲、MOS場效應晶體管中的噪聲,CMOS成像圖像中的工作噪聲。

  5、空間傳遞函數:由于CMOS成像器件中存在空間噪聲和串音,故實際的空間傳遞函數特性要降低些。

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